Тенденция к образованию монокристаллаНа пленках сегнетоэлектриков рядом авторов проведены структурные, оптические и диэлектрические исследования. Толщина пленки обычно определяется по весу, принимая в случае ВаТЮ3 плотность р = 5,5 г/см3. Для определения толщины тонких прозрачных монокристаллических пленок применяется интерферометр.

Прочитать остальную часть записи »

Получение монокристаллических пленокПолученные кристаллики имеют ряд интересных особенностей. 1. Высокую степень совершенства (монодоменность).

Прочитать остальную часть записи »

Минимальная температура подложкиВ качестве среды для кристаллизации могут быть использованы также NaF, К2С03, ВаС12, BaF2 и др. Предварительно были изучены поверхности кристаллизации ряда систем. Во многих случаях получены кристаллы в виде двойников, с ярко выраженными гранями, с длиной ребра до 2-3 мм и толщиной 40-500 мк, цвет темно-коричневый; мелкие кристаллы — светло-желтые, прозрачные BaTi03; SrTi03; CaTi03 двойников не образуют. Прочитать остальную часть записи »

Моментальное испарениеПолученные пленки не обладают дефектностью по кислороду. Фейерсангер, Хагемлохер и Соломон использовали для испарения в вакууме или металлы Ва, Ti, нагреваемые пучком электронов в токе кислорода или же сплав Ва : Ti (1 : 1). Металл или сплав достаточно хорошо испаряется и окисел образуется с достаточно высокой скоростью. Прочитать остальную часть записи »

Метод вакуумного напыления пленокС увеличением температуры подложки вероятность захвата кислорода восстановленным конденсатором уменьшается вследствие происходящей десорбции кислорода с нагретой поверхности. Мюллер, Никольсон и Турнер разработали метод выращивания монокристальных пленок, используя явление эпитаксии.

Прочитать остальную часть записи »