Последние публикации

Минимальная температура подложкиВ качестве среды для кристаллизации могут быть использованы также NaF, К2С03, ВаС12, BaF2 и др. Предварительно были изучены поверхности кристаллизации ряда систем. Во многих случаях получены кристаллы в виде двойников, с ярко выраженными гранями, с длиной ребра до 2-3 мм и толщиной 40-500 мк, цвет темно-коричневый; мелкие кристаллы — светло-желтые, прозрачные BaTi03; SrTi03; CaTi03 двойников не образуют. Прочитать остальную часть записи »

Моментальное испарениеПолученные пленки не обладают дефектностью по кислороду. Фейерсангер, Хагемлохер и Соломон использовали для испарения в вакууме или металлы Ва, Ti, нагреваемые пучком электронов в токе кислорода или же сплав Ва : Ti (1 : 1). Металл или сплав достаточно хорошо испаряется и окисел образуется с достаточно высокой скоростью. Прочитать остальную часть записи »

Метод вакуумного напыления пленокС увеличением температуры подложки вероятность захвата кислорода восстановленным конденсатором уменьшается вследствие происходящей десорбции кислорода с нагретой поверхности. Мюллер, Никольсон и Турнер разработали метод выращивания монокристальных пленок, используя явление эпитаксии.

Прочитать остальную часть записи »

Метод вакуумного напыленияЭто относится к окислению восстановленного ТЮ2, однако ВаТЮ3, по-видимому, не образуется до температур 1000-1100° С, когда начинается реакция. Прочитать остальную часть записи »

Плазменное распыление порошковУстойчивые огнеупорные, воздухонепроницаемые пленки с высокой диэлектрической постоянной могут быть получены при непрерывном плазменном напылении порошков ВаТЮ3 или SrTi03 на металлы, графит, керамику и стекло. Порошкообразный ВаТЮ3 — 85% частиц которого имеют средний диаметр 15 мк, распылялся с помощью плазменной горелки со скоростью 20 г/мин на металлическую поверхность. Прочитать остальную часть записи »