Тенденция к образованию монокристалла

20.06.2013 | Автор:

Тенденция к образованию монокристаллаНа пленках сегнетоэлектриков рядом авторов проведены структурные, оптические и диэлектрические исследования. Толщина пленки обычно определяется по весу, принимая в случае ВаТЮ3 плотность р = 5,5 г/см3. Для определения толщины тонких прозрачных монокристаллических пленок применяется интерферометр.

Дляустановления относительного содержания элементов в пленке применяют рентгеновский спектроскопический Интересно отметить, что электронная диффракция и микроскопические наблюдения не позволили обнаружить какие-либо специальные особенности структуры травленых монокристальных пленок ВаТЮ3 по сравнению с объемным материалом, однако при нагреве выше 500° С наблюдается изменение структуры поверхностного слоя. Имеется множество работ, посвященных изучению влияния поверхностного слоя на сегнетоэлектрические свойства, причем этот вопрос рассматривается как для поли-, так и для монокристаллов.

Эти работы можно разделить на две группы.

В первой группе сообщается об ослаблении сегнетоэлектрических свойств с уменьшением величины зерна. Ходаковым приводятся данные об уменьшении пьезомодуля, сглаживании температурного хода.

При размерах зерен, много меньших 1 мк, ожидается исчезновение сегнетоэлектрического состояния. Автор объясняет это тем, что с уменьшением размера сегнетоэлектрической частицы возрастает доля поверхностной энергии и, начиная с некоторых размеров, разбиение на домены становится энергетически невыгодным.

Теоретический расчет минимально возможной толщины кристалла, проведенный Иванчиком, при которой еще сохраняется сегнетоэлектрическое состояние, приводит к величине 2-106см. Во второй группе работ, наоборот, отмечается усиление сегнетоэлектрических свойств при уменьшении размеров образца.

Читайте так же:

Рубрика: Токарные работы | Метки:

Комментарии запрещены.

Все права защищены © 2013 Строительная организация "MTBO"
Производство железобетонных изделий и конструкций