Методы исследования и свойства пленокЦиаррапико указывает на увеличение коэрцитивного поля и спонтанной поляризации, повышение точки Кюри. Ряд авторов указывает на наличие в поверхностном слое сегнетоэлектрика особого состояния решетки, в котором степень тетрагональное выше, чем в объеме.

В поверхностном слое тетрагональная структура продолжает сохраняться выше температуры Кюри.

Это обстоятельство авторы объясняют наличием слоя объемного заряда. Естественно, что такой слой оказывает влияние на состояние всего кристалла.

Этот эффект должен усиливаться с уменьшением размеров кристалла.

Наиболее вероятно, что механизм вакансий, представляющих собой дефекты по кислороду, является ответственным за наличие слоев поверхностных зарядов.

Пулвари обнаружил, что компенсация дефектов по кислороду требует наличия совсем малых добавок посторонних окислов. Таким образом, было установлено, что поверхностные слои могут быть удалены либо травлением, либо введением при синтезе кристаллов оптимальных добавок окислов Sr, Si, Pb, Nb, La и Mn. Положение о том, что дефектная структура влияет на сегнето-электрические свойства, в последнее время наглядно показано на опытах по влиянию радиации на доменную структуру.

Было отмечено, что границы доменов 90-градусной ориентации имеют способность проходить сквозь траекторию продуктов ядерного распада без проявления частичного взаимодействия, а домены 180-градусной ориентации обнаруживают подобное взаимодействие. Для пленок с толщинами в интервале 60-100 мк изменения диэлектрических свойств по сравнению с объемным материалом не наблюдается.

Уменьшение толщины пленки до 20 мк не приводит к существенному изменению нелинейности, но при дальнейшем снижении толщины значительно ухудшаются нелинейные свойства.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.