Метод вакуумного напыления пленокС увеличением температуры подложки вероятность захвата кислорода восстановленным конденсатором уменьшается вследствие происходящей десорбции кислорода с нагретой поверхности. Мюллер, Никольсон и Турнер разработали метод выращивания монокристальных пленок, используя явление эпитаксии.

Сущность этого метода, названного авторами методом испарения зерна за зерном, состоит в том, что порошок сегнетоэлектрика с помощью вибрационного желоба малыми порциями подается на иридиевую лодочку, нагреваемую до температуры, примерно 2200° С и после моментального испарения образует пленку на подогреваемой подложке. При такой методике устраняются микроскопические слои различного состава и осаждаемая пленка является гомогенной.

Нормальной скоростью роста пленки считается 1-3 А/сек. Под колпаком поддерживается вакуум 2 10~5 ммргп. с/п. В качестве монокристальных подложек были использованы сколы кристаллических пластинок LiF, NaCl, NaF, CaF2, MgO, PbS, размером около 10x5x1 мм или же свежерасщепленныё пластинки слюды.

Употреблялись также монокристаллы Ge и Si. Подложка прочно прикреплялась к медному блоку, нагреваемому до 700° С. При температурах 500-700° С, необходимых для эпитаксии, эффект термического травления для LiF, NaCl или NaF при нагревании настолько велик, что делает почти ненужным предварительное скалывание.

Кроме антисегнетоэлектриков все сегнетоэлектрики дают эпитаксию на LiF в параллельной кубической ориентации, а именно LiF LiF. Таким методом были получены монокристальные пленки, NaNb03 и W03 толщиной от 400-1800 А. Нижний температурный предел эпитаксии на LiF составляет 400° С, верхний предел в 700° С определяется летучестью LiF.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.