Получение высокоомных кристалловДля проведения исследований пьезоэлектрических преобразователей на монокристаллах сульфида кадмия нами были получены монокристаллы сульфида кадмия л-типа диаметром 20 мм из расплава под давлением инертного газа в компрессионной печи методом направленной кристаллизации с перемещающимся контейнером. В процессе исследований было выяснено, что для получения качественных монокристаллов необходимы определенные температурные условия системы кристалл-расплав. Выбором оптимального температурного градиента в районе фронта кристаллизации равного 4-6° С/мм, при постоянном увеличении абсолютной величины градиента в сторону кристалла, обеспечивается плоская, либо слегка выпуклая форма фронта кристаллизации, наиболее пригодная для выращивания качественных кристаллов.

Выращивание монокристаллов производилось при давлении аргона 200-300 атм и скорости кристаллизации 10-20 мм/ч. Рост производился на затравку, задающую кристаллографическую ориентацию растущему кристаллу.

Получение кристаллов с низким удельным сопротивлением производилось частично за счет легирования кристаллов избыточным кадмием и частично за счет добавления легирующих примесей, таких как хлор или йод, которые добавлялись от веса в количестве 103-10~4. Для снятия термических напряжений монокристаллы после выращивания подвергались отжигу в потоке сероводорода в течение 3-4 ч при температуре 900° С с последующим плавным снижением температуры со скоростью 100° С в ч.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.