Метод шликерного литьяМожно попытаться объяснить влияние этих факторов на толщину пленки. Основа, опускаемая в шликер, температура которого выше температуры основы, отбирает от прилежащих к ее поверхности слоев тепло, охлаждая таким образом эти слои и переводя их в твердое состояние.

Происходит изменение агрегатного состояния шликера.

Процесс перехода шликера из одного агрегатного состояния в другое определяется величиной теплопроводности используемых материалов и вязкостью шликера. В свою очередь, вязкость шликера определяется температурой шликера и процентом связки.

Образование пленки начинается с внутренней поверхности основы. Это является благоприятным моментом, так как образовавшиеся слои пленки не тормозят усадку последующих слоев, в результате чего не происходит местных напряжений, которые бы сказывались при последующем обжиге.

Учитывая все вышеизложенные факторы, получают пленку необходимой толщины.

Затем производится выпаривание связки. Метод обычного литья шликера с органическим связующим и пластификатором на керамическую подложку позволяет получить пленки до 400 мк из материала любого сложного состава в зависимости от требуемых свойств.

После испарения растворителя получают сухие, эластичные пленки с включенными керамическими частицами.

Одной из разновидностей этого метода является разлив шликера на органическую подложку. При этом были получены сегнетоэлектрические пленки из керамики сложных составов толщиной до 10 мк. Преимуществом является то, что исключается платина в качестве подложки и пленки могут быть получены любых размеров.

Так, например, были получены пленки 03 толщиной от 100 до 10 мк.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.